铜电化学沉积的动态硅通孔填充⼯艺晶圆,动态硅通孔填充⼯艺

在不同电流密度下的分阶段电沉积实验展示了动态的硅通孔
(TSV) 填充过程。通过控制外加电流密度，可以获得对应于
TSV填充结果的不同形貌。具体来说，低电流密度 (4 mA/
cm 2 ) 会导致接缝缺陷填充，中等电流密度 (7 mA/cm 2 ) 会导
致⽆缺陷填充，⽽⾼电流密度 (10 mA/cm 2 )) 导致空洞缺陷填
充。填充系数分析表明，电流密度对TSV填充模型的影响是
由添加剂和铜离⼦的消耗和扩散的耦合效应触发的。此外，
镀层的形态演变表明局部沉积速率受镀层⼏何特征的影响。
硅通孔 (TSV) 是⼀种很有前途的三维 (3D) 封装技术，具有
⾼性能、减小封装体积、低功耗和多功能等优点。在 TSV ⼯
艺中，通常使用铜电化学沉积 (ECD) 进⾏的通孔填充步骤占
总成本的近 40% 。作为 TSV 的核⼼和关键技术，以小化⼯
艺时间和成本的⽆缺陷填充备受关注。

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小型喷镀机台
配备有Stir Cup适用于研发以及小批量生产。
特别适合于镀孔，Sn/Ag电镀，Cu pillar等电镀制程。
铜凸块制程即wafer从晶圆加工完成基体电路后，利用涂胶、黄光、电镀及蚀刻制程等制作技术通过在芯片表面制作铜锡凸点，提供了芯片之间、芯片和基板之间的“点连接”，由于避免了传统Wire Bonding 向四周辐射的金属“线连接”，减小了芯片面积（封装效率），此外凸块阵列在芯片表面，引脚密度可以做得很高，便于满足芯片性能提升的需求，并具有较佳抗电迁移和导热能力以及高密度、低阻抗，低寄生电容、低电感，低能耗，低信噪比、低成本等优点。

MEMS导电胶 绝缘胶 低应力胶2025D 84-1LMI JM7000
厚膜导电胶84-1A 84-1LMI 84-1LMIT1 JM7000 84-3 2025D
厚膜电路胶膜 506胶膜 5020胶膜 厚膜电路灌封胶 厚膜电路用胶 IGBT灌封胶
84-3J绝缘胶 芯片绝缘胶 乐泰导电胶 乐泰三防漆3900， 乐泰绝缘胶，芯片封装胶，
光纤胶，光耦胶，电路灌封胶，传感器灌封胶，电源灌封胶，乐泰UF3808底部填充胶 底部填充剂 微波器件导电胶，低应力底部填充胶，高导热灌封胶，BGA底部填充剂，BGA导热胶，DAF膜，FOW胶膜，DAF胶膜，导电胶膜，导热胶膜，芯片胶膜，封装胶膜，IC胶膜，晶圆胶膜，UF1173射频器件底部填充胶，高频传输胶，相位胶，5G底部填充胶，基站胶。

VALTRON®UltraLux™ 是一种临时粘结蜡，主要用于半导体行业的抛光和研磨。该类特的粘合剂产品有固体和液体两种形式，提供低黏性和高粘合强度。蜡的物理性质使高速下控制加工速率成为可能。该新型水溶性液体蜡设计用于方便有水拆卸精密、超薄的半导体晶片。使用VALTRON®水基清洗剂去除蜡。
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