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FQB55N10TM,场效应管(MOSFET)安森美进口原装

更新时间:2024-05-09 09:55:06 编号:a316mpl9t6e37e
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周玉军

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FQB55N10TM,场效应管(MOSFET)安森美进口原装

NCP4318BLCDR2G:
NCP4318是一种混合模式,它使用瞬时漏极电压和先前死区时间信息,用于LLC谐振转换器的同步整流(SR)控制器,只需少的外部元件。自适应死区时间控制可补偿感应寄生电感电压,以大限度地提高SR MOSFET导通和效率。多级关断阈值控制和 SR 电流反转检测功能可防止快速负载瞬变期间的反转电流,并允许在整个负载范围内稳定地 SR 操作。此外,为了提高轻载效率,VGATE自适应地从10V降至6V/5V。ON/安森美常用型号一览表(部分型号):
NCP4318BLCDR2G
NCV3843BVD1R2G
NCP81610AMNTXG
NCV4275CDT33RKG
MBRB30H60CTT4G
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MOC3041SR2M概述:
MOC303XM和MOC304XM器件由一个光耦合到单片硅探测器的AlGaAs红外发射二极管组成,该二极管具有零电压交叉双边三端双向可控硅驱动器的功能。
它们设计用于逻辑系统接口中的三端双向可控硅,用于由 115VAC 线路供电的设备,例如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、螺线管和消费电器等。
ON/安森美常用型号一览表(部分型号):
NCP1377BDR2G
NCP1397ADR2G
NTMFS5C628NLT1G
MM3Z5V6ST1G
NCP1342AMDCDAD1R2G
NCP1361EABAYSNT1G
NCP1399AHDR2G
NCV2901DTBR2G
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NUP4202W1T2G
NUP4202W1浪涌保护器设计用于保护高速数据线免受 ESD、EFT 和雷击的影响。
ON/安森美常用型号一览表(部分型号):
NSI50350AST3G
NCV7710DQR2G
NLV74HC14ADTR2G
NLV74HC151ADR2G
NCV8460ADR2G
NL17SZ125XV5T2G
74VHC132MTCX
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深圳市鑫富立科技有限公司
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  • 2018-12-27
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  • IC集成电路
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