伊犁M4D9-17划片刀半导体晶圆切割刀

划片刀又称金刚石划片刀，包含三个主要元素：金刚石颗粒的大小、密度和粘结材料。 金刚石颗粒在晶圆的切割过程中起着研磨剂的作用，通常是由CBN (Cubic Boron Nitride)合成而来。 金刚石颗粒尺寸从２um到8um之间变化。 为达到更好的切割质量，通常选用带棱角的金刚石颗粒。 金刚石颗粒的密度代表着金刚石颗粒占金刚石刀片的体积比。

主要用于对半导体硅晶圆、化合物半导体晶圆（SiC、GaAs、GaP等）、氧化物半导体晶圆（LiTaO3 等）等半导体晶圆进行、精密划切，实现芯片单体化。

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高密度的金刚石颗粒可以延长划片刀的寿命，同时也可以减少晶圆背面崩角。而低密度的金刚石颗粒可以减少正面崩角。硬的粘结材料可以更好地“固定”金刚石颗粒，因而可以提高划片刀的寿命，而软的粘结材料能够加速金刚石颗粒的“自我锋利”（Self Sharpening）效应，令金刚石颗粒保持尖锐的棱角形状，因而可以减小晶圆的正面崩角或分层，但代价是划片刀寿命的缩短。刀锋的长度应根据晶圆的厚度，承载薄膜的厚度，大允许的崩角的尺寸来进行定义，刀锋不能选得过长，因为长的刀锋会在切割时引起刀片的摆动，会导致较大的崩角。

因为硅材料的脆性，机械切割方式会对晶圆的正面和背面产生机械应力，结果在芯片的边缘产生正面崩角（FSC- Front Side Chipping）及背面崩角（BSC – Back Side Chipping）。
正面崩角和背面崩角会降低芯片的机械强度，初始的芯片边缘裂隙在后续的封装工艺中或在产品的使用中会进一步扩散，从而可能引起芯片断裂，导致电性失效。另外，如果崩角进入了用于保护芯片内部电路、防止划片损伤的密封环（Seal Ring）内部时，芯片的电气性能和可靠性都会受到影响。　
封装工艺设计规则限定崩角不能进入芯片边缘的密封圈。

北京汐源科技有限公司
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刀片切割是指利用金刚石刀片对晶圆进行切割的工艺，这是一种纯粹的物理切割来分裂晶圆，一般厚度100um以上的晶圆适用于该划片方式。金刚石刀片在高速旋转时沿切割道移动，将晶圆完全切透，同时会使用水来冷却刀片和晶圆，减少热损伤以及带走切割产生的碎屑。


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崩边

正崩主要发生在晶圆的切割面（正面），背崩是指晶圆背面的崩边。不管正崩与背崩，在晶圆划片时都是不被允许的。崩边产生的原因有：

1，不恰当的切割参数导致崩边

2，刀片磨损严重，钝化的刀片边缘增加了切割过程中的不规则作用力，从而增加了崩边的可能性

3，刀片中的金刚石等磨料颗粒在切割过程中与晶圆表面材料发生撞击，导致崩边
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